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SUP40P10-43
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
T J = 150 °C
0.0 8
0.07
T A = 125 °C
0.06
10
0.05
T J = 25 °C
0.04
0.03
T A = 25 °C
1
0.02
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
100
10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
I A
1.3
1.1
1
T A
L
B V - V DD
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on) *
T A - Time In A v alanche (s)
Single Pulse Avalanche Capability
10 μ s
100 μ s
10
1 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
10 ms
DC
0.1
1 10 100
1000
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65458
S09-2035-Rev. A, 05-Oct-09
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